什么是齐纳击穿

在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿。

因为掺杂浓度很大所以形成的空间电荷区里面的正负离子就很多，所以只需要扩散运动稍微一进行就能形成一个很大的内电场来平衡扩散运动所形成的外电场，所以掺杂浓度很大时PN结就很薄。

半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散,形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。pn结制作成元器件使用就是二极管。pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。正向偏置时，p区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。从尺寸看，集电区最大，基区最小。如果条件不能满足，晶体管将无法工作。

二极管齐纳击穿是暂时性短路,断电后还能灰复,二极管雪崩击穿是破坏性击穿,永久

掺杂浓度很大，PN结很薄时，强电场将Si——Si键的共价键成键电子直接拉出来参与导电，就是齐纳击穿

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